2021-ci il 11 iyun tarixində Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində Əhmədova Fidan Şirvan qızının “Nazik təbəqəli və nano ölçülü InSe və GaSe yarımkeçiricilərinin elektrik və optik xassələri” mövzusunda dissertasiya işinin ilkin müzakirəsi keçirilib. Dissertasiya işi vakumda diskret ani termik buxarlandırma və modifikasiya olunmuş kimyəvi çökdürmə (SİLAR) üsulları ilə InSe və GaSe nazik təbəqələri və nanohissəciklərinin alınmasına və müxtəlif tədqiqat üsulları ilə nazik təbəqələrin optik, fotoelektrik və lüminessensiya xassələrinin tədqiqinə həsr edilib.
GaSe və InSe nazik təbəqələri və nanohissəciklərinin əsasında optik spektrin görünən və yaxın infraqırmızı oblastlarında effektiv işıq mənbələrinin, nanosaniyəli lazer impulsları üçün detektorların, lazer şüalarının intensivliyini idarə edən optik modulyatorların və lazer şüalarının təsiri ilə InSe nazik təbəqələrinin elektrik keçiriciliyinin tipinin dəyişməsi ilə p-n keçidin yaradılmasının mümkünlüyünü göstərilib.