Bakı Dövlət Universitetinin (BDU) Fizika fakültəsində “Əlavə elektrik sahəli metal- yarımkeçirici kontaktların innovativ tətbiq imkanları” mövzusunda elmi seminar keçirilib.

Seminarda “Optika və molekulyar fizika” kafedrasının professoru Rasim Məmmədov eyniadlı məruzə ilə çıxış edib. O bildirib ki, diskret yarımkeçirici cihaz və inteqral sxemlərin komponentləri kimi geniş istifadə olunan metal-yarımkeçirici kontaktların (MYK) əsas işçi parametrlərinin (ФВ, n, RC, ...) və xarakteristikalarının (I-V-T, C-V-T,...)  nəzəri və eksperimental nəticələri bir sıra hallarda kəskin fərqlənir. Diod və omik xarakterli MYK-da baş verən elektron proseslər ehtimal olunan real faktorların təsiri nəzərə alınmaqla dünyanın elmi mərkəzlərində geniş tədqiq edilir. Bu faktorlardan biri də real MYK-da BDU alimləri tərəfindən aşkar edilmiş yeni fiziki hadisənin - Əlavə Elektrik Sahəsinin (ƏES) yaranmasıdır. Kontakt səthinin məhdudluğu hesabına yaranan ƏES-in təsiri ilə real MYK-nın işçi parametrləri və elektrik xarakteristikaları ideal MYK-nın müvafiq göstəricilərindən kəskin fərqlənir.

Məruzəçi real MYK-da metal və yarımkeçiricinin kontakt və sərbəst səthləri arasında potensiallar fərqinin əmələ gəlməsi nəticəsində ƏES-nin yaranmasının fiziki əsasları haqqında məlumatları bölüşüb və müxtəlif konstruktiv quruluşa malik metal-GaAs, metal-Ga2O3, metal-GaN və digər kontaktlarda ƏES-nin yaranmasının Skanedici Zond Mikroskopiya metodları ilə tədqiqinin nəticələrini şərh edib. Qeyd edib ki, real MYK-da ƏES kontakt periferiyası boyunca yarımkeçiricinin kontaktaltı hissəsini əhatə edərək, həcmi yüklərin işlək oblastını iki hissəyə ayırır. Bu səbəbdən bir potensial çəpərli enerji quruluşlu ideal MYK-dan fərqli olaraq,  real MYK iki potensial çəpərli enerji quruluşuna malik olur. İki çəpərli real düzləndirici MYK-da cərəyan axını, ideal Şottki diodlarından fərqli olan səciyyəvi xüsusiyyətlərə malik termoelektron emissiya mexanizmi ilə müəyyən olunur.

Rasim Məmmədov bildirib ki, real MYK üçün təklif olunan iki potensial çəpərli enerji quruluşu və xarakterik cərəyan axını  mexanizmi Şottki diodlarının və omik kontaktların eksperimental qeyri-ənənəvi xarakteristikalarının düzgün elmi izahını təmin edir, eyni zamanda ƏES-li MYK əsasında innovativ xarakterli həm  foto-, termo-, tenzo-, elektrofiziki çeviricilər, həm də  yeni xassələrə malik yarımkeçirici cihazlar hazırlanmasına geniş imkan yaradır. Bu baxımdan, ƏES-li MYK əsasında yaradılan “Ətraf mühitin istilik enerjisini elektrik enerjisinə çevirən Yeni Növ Alternativ Cərəyan Mənbəyi”, “Metal və yarımkeçirici nanostruktur əsaslı Günəş Elementi” və s. kimi  elektron cihazlar böyük elmi-praktiki əhəmiyyət kəsb edir.